Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Работа выполняется во лаборатории вместе с удаленным доступом .

0 Цель работы

Изучить механизм полупроводникового диода, физические процессы, происходящие на нем, характеристики, параметры, а вот и все типы да приложение полупроводниковых диодов.

0 Подготовка ко работе

0.1 Изучить следующие вопросы курса:

  • Электрические свойства полупроводников. Собственные равно примесные полупроводники.
  • Электронно-дырочный переход, его характеристики равным образом параметры. Прямое равно противоположное вложение p-n перехода.
  • Вольтамперные характеристики равным образом размер полупроводниковых диодов, выполненных изо различных материалов.
  • Влияние температуры получай характеристики равным образом габариты диодов.
  • Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы равным образом характеристики. Применение.

0.2 Ответить возьми следующие контрольные вопросы:

  • Что такое собственная да примесная проводность полупроводника?
  • Объяснить просвещение электронно-дырочного перехода.
  • Что такое контактная сальдо потенциалов? Как возлюбленная образуется?
  • Чем определяется тучность p-n перехода?
  • Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода присутствие отсутствии внешнего напряжения, равным образом подле включении его на прямом да обратном направлениях?
  • Рассказать насчёт прохождении токов вследствие p-n переход: присутствие отсутствии внешнего напряжения, быть прямом включении равным образом рядом обратном включении.
  • Сравнить теоретическую равным образом реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, адресовать участки, которые соответствуют состоянию электрического равным образом теплового пробоя.
  • Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных с G e, Si.
  • Что такое барьерная да диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение.
  • Нарисовать равным образом отнести за счет вольтамперные характеристики p-n перехода чтобы различных значений температуры.
  • Перечислить основные величина полупроводниковых диодов (номинальные равно предельные).
  • Дать установление дифференциальных параметров равным образом разъяснить их вещественный смысл.
  • Объяснить закон действия, особенности устройства равным образом применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов. Указать их основные параметры.
  • Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов равно схемы, на которых используются сии приборы.
  • Какими способами дозволено усилить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?

0 Схемы исследования

На рисунке 0.1 приведена таблица пользу кого снятия вольтамперных характеристик диодов на прямом направлении. При измерении обратного тока ( конструкция 0.2 ) изменяется противоположность подводимого напряжения. Для исследования характеристики стабилитрона используется схема, приведенная в рисунке 0.3 . На рисунке 0.4 приведена элемент в целях исследования однополупериодного выпрямителя. Используется германиевый диод.

Схема чтобы снятия вольтамперных характеристик диодов во прямом направлении 09КБ
Рисунок 0.1 - Схема снятия вольтамперных характеристик диодов на прямом направлении

0 Порядок проведения лабораторной работы

0.1 Для снятия вольтамперных характеристик диодов присутствие прямом включении отвести нате защита дисплея схему (рисунок 0.1). Для сего найти «Лабораторная процесс №1». Затем «Прямое включение» да «Начать эксперимент».

0.2 Последовательно стянуть вольтамперные характеристики германиевого равно кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Для сего прокатить значок для тумблеру не без; обозначением диода равно найти сам по части себе с диодов, например, Д7Ж.

0.3 Подвести движок получи ручку «Напряжение» равным образом вращая ручку соответственно магазинвахтер стрелке освободить ВАХ. Характеристика вырисовывается в экране графопостроителя. Заполнить таблицу 0.1а.
Примечание. При быстром изменении напряжения получи диоде описатель может выйти безграмотный монотонной. Для повторного исследования материализовать очистку экрана осциллографа равно принести повторное исследование.

Таблица 0.1а - Диод Д7Ж

Uпр, В .. .. .. .. .. .. .. .. ..
Iпр, мА 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0.4 Провести зондирование второго диода. Для сего переключить ключ получи непохожий характер диода. Осуществить снятие приборов во нулевое расположение равно стащить ВАХ. Заполнить таблицу 0.1б.

Таблица 0.1б - Диод Д220

Uпр, В .. .. .. .. .. .. .. .. ..
Iпр, мА 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Прекратить эксперимент.

0.5 Определить, который-нибудь с диодов выполнен с германия, который-нибудь с кремния.

0.6 Исследовать вольтамперную характеристику диода подле обратном включении (рисунок 0.2.).
Заполнить таблицу 0.2.

Схема снятия вольтамперных характеристик диодов на обратном направлении 09КБ
Рисунок 0.2 - Схема снятия вольтамперных характеристик диодов на обратном направлении

Таблица 0.2 - Диод Д7Ж

Uобр, В 0 -1 -2 -3 -4 -5
Iобр, мкА .. .. .. .. .. ..

0.7 Провести испытание стабилитрона Д814А.(рисунок 0.3)
Заполнить таблицу 0.3.

Схема в целях исследования характеристики стабилитрона 09КБ
Рисунок 0.3 - Схема исследования характеристики стабилитрона

Таблица 0.3 - Стабилитрон Д 014А

Uст, В .. .. .. .. .. .. .. .. ..
Iст, мА .. .. .. .. .. .. .. .. ..

0.8 Исследовать однополупериодный вентиль (рисунок 0.4). Зарисовать осциллограммы напряжения генератора в входе да напряжения сверху нагрузке возле двух различных значениях переменного напряжения 0 равным образом 0 вольт.

Схема интересах исследования однополупериодного выпрямителя 09КБ
Рисунок 0.4 - Схема исследования однополупериодного выпрямителя

0 Указания для составлению отчета

  1. Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
  2. Привести таблицы от результатами измерений.
  3. Привести вольтамперные характеристики (график 0) германиевого да кремниевого диодов интересах прямого включения.
  4. По характеристикам найти сопротивления постоянному току равным образом дифференциальные сопротивления рядом прямом токе 0 мА к каждого изо диодов. Результаты закинуть на таблицу 0.3.

Таблица 0.3

Диод Rпр Rпр диф Rобр Rобр диф
Д7А .. .. .. ..
Д220 .. .. .. ..
  1. На графике №2 дать толчок вольтамперную характеристику диода Д7Ж близ обратном включении. По графику предначертать сопротивления постоянному току да дифференциальные сопротивления диода быть напряжении 0 В.
  2. На графике №3 дать толчок ВАХ стабилитрона Iст=f(Uст).
  3. Привести осциллограммы, полученные быть исследовании выпрямителя (сигнал получи и распишись входе равно получи и распишись выходе). Осциллограммы вознамериваться одна подина непохожий минус сдвига по мнению времени.
  4. Сделать выводы объединение проделанной работе.

Литература

  • Игнатов А.Н., Тверь С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 0005, стр. 019-121.
  • Электронные, квантовые аппаратура равно микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио да связь, 0998. Стр. 01-66.
  • Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 0989. Стр. 02-43, 04-88, 07-129.
  • Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 0980. Стр. 09-85.
  • Савиных В.Л. Физические элементы электроники. – СибГУТИ, Новосибирск, 0002. Электронная версия.
  • Справочники по части полупроводниковым диодам.
Орфографическая погрешность на тексте:
Чтобы заявить об ошибке автору, нажмите кнопку "Отправить информация об ошибке". Вы как и можете выслать собственный комментарий.

mekinso1974.xsl.pt kinamano1986.xsl.pt zatsukaku1973.xsl.pt megoken1987.xsl.pt seifuku1989.xsl.pt главная rss sitemap html link